近日，关于杭州翰亚微电子科技有限公司高档光刻胶新材料项目（一期）在相关网站验收公示。 据悉，该项目投资10150万元，建设年产3吨高档光刻胶新材料（一期），于2024年12月竣工，2025年1月开始调试，实际2.62吨高档光刻胶新材料先行验收，包括KrF光刻胶材料2.5t/a,ArF光刻胶材料0.5t/a。 资料显示，杭州翰亚微电子科技有限公司于2023年6月在杭州市钱塘区成立，注资625万元，目前已完成A轮融资。公司致力于发展成为国内首个具备商业量产能力的高端深紫外光刻胶KrF(248nm)/ArF(193nm)核心树脂材料以及下一代EUV(13nm)极紫外光刻胶树脂材料的高科技生产企业。

光刻胶又称光致抗蚀剂，组成部分包括：光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂，通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射等光化学反应，经曝光、显影等光刻工序，将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。

按曝光波长来看，半导体光刻胶又可分为g线（436nm）、i线（365nm），KrF（248nm），ArF（193nm），以及EUV光刻胶（13.5nm）。其中，目前，EUV光刻胶几乎全部依赖进口，而KrF和ArF光刻胶，国内已有多家企业实现了量产，但市场份额极低，包括南大光电、晶瑞电材、彤程新材、徐州博康、鼎龙股份、上海新阳等。

来源：DT新材料